18 sentyabr 2026 11:28
79

Kimya İnstitutunun alimləri infraqırmızı şüalanmaya həssas yeni materialların xüsusiyyətlərini tədqiq ediblər

Elm və Təhsil Nazirliyinin Kimya İnstitutunun“Nanoelektrokimya və Hidrogen enerjisi” laboratoriyasınınəməkdaşları Sevinc Cavadova, Vüsalə Məcidzadə, SamirəCəfərova və Akif Əliyevin digər həmkarlarla birgə apardıqlarıtədqiqatın nəticələri beynəlxalq elmi jurnalda dərc olunub.

“Elektrokimyəvi çökdürülmə üsulu ilə alınmış Bi₂Se₃ naziktəbəqələrinin yarımkeçirici xassələrinin vəxronoamperometriyasının tədqiqi” (“Investigation of theSemiconductor Properties and Chronoamperometry of Bi₂Se₃ Thin Films Obtained by Electrochemical Deposition”) adlıməqalə “Web of Science” və “Scopus” beynəlxalq elmibazalarında indeksləşən Q1 kateqoriyalı “Nanomaterials” jurnalında yayımlanıb.

Tədqiqatda susuz etilen-qlikol əsaslı elektrolitdən istifadəetməklə nazik Bi2Se3 təbəqələrinin elektroçökdürülməsi vəonların arqon (Ar) mühitində termiki emalından sonraxassələrində baş verən dəyişikliklər araşdırılıb. 

Aparılan analizlər nəticəsində Bi₂Se₃ nazik təbəqələrininromboedrik kristal quruluşa malik olduğu təsdiqlənib. Eynizamanda, təbəqələrin səthində cüzi oksidləşmə müşahidəolunub. Təbəqələrin yarımkeçirici xüsusiyyətlərini xarakterizəetmək üçün elektrik və temperaturdan asılı keçiricilikölçmələrindən istifadə olunub.

Həmçinin, 2800-4000 nm dalğa uzunluğu diapazonundaaparılan infraqırmızı fotokeçiricilik ölçmələri ilə, Bi2Se3-ün qadağan olunmuş zolaq enerjisi yaxınlığında nəzərəçarpacaqfoto-cavab aşkar edilib.

Əldə edilən nəticələr, elektroçökdürülmüş Bi2Se3 naziktəbəqələrinin infraqırmızı şüalanmaya həssas yarımkeçirici vəoptoelektron tətbiqlər üçün potensialını nümayiş etdirir.